概述
已專此N溝道MOSFET,以改善整體效率直流/直流轉(zhuǎn)換器,PWM控制器采用同步或常規(guī)的開關(guān)。 它已被優(yōu)化的低柵電荷,低R DS(ON)和快速開關(guān)速度。
特點(diǎn)
R DS(ON)=11.5米W(典型值),V GS = 10V,I D = 35V
R DS(ON)=15米W(典型值),V GS = 4.5V,I D = 35V
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS(ON)
低柵極電荷
高功率和電流處理能力
應(yīng)用/框圖(S)
DC / DC轉(zhuǎn)換器
全新原裝進(jìn)口,現(xiàn) 貨庫(kù)存,歡迎來電詢價(jià)
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入: 潤(rùn)百年@電源管理IC
(RCC),電子元器件全球獨(dú)立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤(rùn)百年電子有限公司所有,未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。