概述
利用飛兆半導(dǎo)體專有的高密度溝槽MOSFET工藝，這部分是專為低R DS（ON）和優(yōu)異的低Qg圖和雪崩的開關(guān)應(yīng)用范圍廣泛的耐用性。

特點(diǎn)
最大R DS（ON）=36mΩ，在V GS = 10V，I D = 5.9A
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）
DC - AC轉(zhuǎn)換器
同步整流

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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