概述
這種P溝道2.5V指定的MOSFET是在一個堅固的門版本飛兆半導體先進的PowerTrench過程。 它已被優(yōu)化的柵極驅(qū)​​動電壓范圍廣（2.5V - 12V）電源管理應用。

特點
一個-11，-20五
R DS（ON）= 0.014 W @ V GS = -4.5 V
R DS（ON）= 0.020 W @ V GS = -2.5 V
電池的應用擴展V GSS范圍（2V“）
低柵極電荷（44nC典型）
開關(guān)速度快
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)
高功率和電流處理能力
符合RoHS標準。

應用/框圖（S）
負荷開關(guān)
電池保護
電源管理

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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