概述
這些N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專(zhuān)有的平面條形DMOS技術(shù)。
這一先進(jìn)技術(shù)已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開(kāi)關(guān)性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合高效率開(kāi)關(guān)模式電源供應(yīng)器和有源功率因數(shù)校正。

特點(diǎn)
20A，500V，電阻R DS（ON）=0.23Ω在V GS = 10V
低柵極電荷（典型45.6nC）
低C RSS（典型值27pF）
快速切換
100％的雪崩測(cè)試
改進(jìn)的dv / dt能力

應(yīng)用說(shuō)明
AN - 6078SC：FAN480X的PFC + PWM（中文翻譯） （1879 K）2011年8月12日，
AN - 6982：功率因數(shù)校正轉(zhuǎn)換器與FAN6982設(shè)計(jì)（676 K），2011年08月12日
AN - 8027：FAN480X的PFC + PWM組合控制器應(yīng)用 （613 K）2011年8月12日，
AN - 9066的UniFET™連續(xù)電流模式功率因數(shù)校正的優(yōu)化開(kāi)關(guān)（429 K）08月12日，2011年
AN - 9067：在LLC諧振轉(zhuǎn)換器的MOSFET失效模式分析（1485 K），2011年08月12日

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢(xún)價(jià)
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