概述
這些P溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的平面條形DMOS技術(shù)。
這種先進(jìn)的技術(shù)已被特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開(kāi)關(guān)性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合低電壓應(yīng)用，如高效率開(kāi)關(guān)直流/直流轉(zhuǎn)換器，直流電動(dòng)機(jī)的控制。

特點(diǎn)
- 2.1A，500V，電阻R DS（ON）= 4.9 W @ V GS = - 10V
低柵極電荷（典型的18 NC）
低CRSS（典型值9.5 pF的）
快速開(kāi)關(guān)
100％的雪崩測(cè)試
改進(jìn)的dv / dt能力

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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