概述
飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的1.5伏的PowerTrench ®與藝術(shù)“細(xì)間距”的WLCSP封裝過程中的狀態(tài)的過程設(shè)計，F(xiàn)DZ197PZ最大限度地減少電路板空間和R DS（ON ）。 這種先進(jìn)的WLCSP封裝的MOSFET，體現(xiàn)在包裝技術(shù)的突破，使該器件結(jié)合優(yōu)良的熱傳輸特性，超低調(diào)包裝，低柵極電荷和低R DS（ON ）。

特點
最大R DS（ON）= 64MΩ在V GS = -4.5 V，I D = -2.0一個
最大R DS（ON）= 71mmΩ在V GS = -2.5 V，I D = -2.0一個
最大R DS（ON）= 79mmΩ在V GS = -1.8 V，I D = -1.0一個
最大R DS（ON）= 95mmΩ在V GS = -1.5 V，I D = -1.0一個
面積只有1.5平方毫米的PCB area.Less超過50％的面積為2 × 2的BGA
超薄封裝：小于0.65毫米的高度安裝到PCB上時，
ESD保護(hù)
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）
電池管理
負(fù)荷開關(guān)
電池保護(hù)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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