概述
這單N溝道MOSFET的設(shè)計采用了飛兆半導(dǎo)體先進的功率溝槽過程特殊的MicroFET引線框架，以優(yōu)化的 R DS（ON）@ V GS = 2.5V 。

特點
的R DS（ON）=40mΩ，V GS = 4.5V，I D = 5.0A
的R DS（ON）=50MΩ@ V GS = 2.5V，I D = 4.5A
0.8毫米薄型最大的新封裝的MicroFET的2x2毫米
HBM ESD保護水平> 2.5K V典型值（注3）
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）
鋰離子電池

應(yīng)用筆記
AN - 0953：大會的MicroFET 2X2包裝準(zhǔn)則 “（133 K）2011年8月05，

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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