概述
這些雙N溝道邏輯電平增強型場效應晶體管都采用飛兆半導體專有的，高細胞密度，DMOS技術。 這非常高的密度過程，尤其是量身定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻。 本裝置已設計，特別是對作為一個負載開關應用中的數(shù)字晶體管的替代低電壓​​應用。 由于不需要偏置電阻，N溝道FET可以代替幾個IMHxA系列等不同的偏置電阻的數(shù)字晶體管。

特點
25 V，0.68 A連續(xù)2高峰。 的RDS（ON）= 0.6 W @ VGS = 2.7 V時，RDS（ON）= 0.45 W @ VGS = 4.5 V 。
非常低的水平柵極驅動的要求，允許直接操作在3V電路。 VGS（TH）<1.5 V。
門源齊納二極管的ESD堅固性。 > 6kV的人體模型。
替換之一的DMOS FET的多個NPN數(shù)字晶體管（IMHxA系列）。

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