概述
這雙N溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專(zhuān)有的，高細(xì)胞密度，DMOS技術(shù)。 這非常高的密度過(guò)程，尤其是量身定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻。 本裝置已設(shè)計(jì)，尤其是作為替代雙極數(shù)字晶體管和小信號(hào)MOSFET的低電壓應(yīng)用。 由于不需要偏置電阻，這雙數(shù)字FET可以代替幾個(gè)不同的數(shù)字晶體管，不同的偏置電阻值。

特點(diǎn)
最大R DS（ON）= 175 MO在V GS = 4.5V，I D = 1.2一個(gè)
最大R DS（ON）= 215 MO在V GS = 2.5V，I D = 1.0
最大R DS（ON）= 270 MO在V GS = 1.8V，I D = 0.9一個(gè)
最大R DS（ON）= 389 MO在V GS = 1.5 V，I D = 0.8一個(gè)
HBM ESD保護(hù)水平> 2千伏（注3）
非常低的水平柵極驅(qū)動(dòng)的要求，允許操作在1.5 V 電路（VGS（TH）<1 V）
非常小的封裝外形采用SC70 - 6
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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