概述
這些N溝道功率MOSFET的制造，使用創(chuàng)新的UltraFET ®過程。 這種先進的工藝技術達到每硅片面積盡可能最低的導通電阻，造成出色的表現(xiàn)。 此設備是能夠承受高能量，在雪崩模式和二極管具有非常低的反向恢復時間和儲存的電荷。 它是專為電源效率是非常重要的應用場合，如開關穩(wěn)壓器，開關轉換器，電機驅動器，繼電器驅動器，低電壓總線開關，在便攜式和電池供電產品的電源管理，使用。

特點
56A，100V
仿真模型
溫度補償的PSPICE ®和馬刀™電氣模型
SPICE和馬刀的熱阻抗模型
峰值電流和脈沖寬度曲線
統(tǒng)計研究所的評價曲線

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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