概述
N溝道MOSFET采用飛兆半導體的先進功率溝槽®過程中已特別定制，以盡量減少通態(tài)電阻和保持出色的開關性能。

特點
最大R DS（ON）=5.8mΩ，在V GS = 10V，I D = 13.5A
最大R DS（ON）=8.0mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 11.8A
薄型 - 1毫米最大功率33
100％UIL的測試
符合RoHS標準

應用/框圖（S）
直流 - 直流轉換

全新原裝進口，現 貨庫存，歡迎來電詢價
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