概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的功率溝槽®過程吳丹已特別針對降低通態(tài)電阻，同時保持出色的開關性能。

特點

最大R DS（ON）= 8MΩ在V GS = 10V，I D = 12一個
最大R DS（ON）= 11MΩ在V GS = 4.5V，I D = 10
低R DS（on）和高效率的先進的封裝和硅結合
MSL1健壯的包裝設計
100％UIL的測試
符合RoHS標準

全新原裝進口，現 貨庫存，歡迎來電詢價
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