概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體的先進功率溝槽®過程中，已特別針對減少的通態(tài)電阻和尚未maintaiin出色的開關(guān)性能。

特點

最大R DS（ON）= 55MΩ在V GS = 10V，I D = 4.5
最大R DS（ON）= 80MΩ在V GS = 3.6 V，I D = 3.7
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
一種廣泛使用的表面貼裝封裝的高功率和電流處理能力
100％UIL的測試
符合RoHS標準

應(yīng)用/框圖（S）

DC - DC轉(zhuǎn)換

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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