概述

這些雙N＆P通道的邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的，高細(xì)胞密度，DMOS技術(shù)。 這非常高的密度過(guò)程，尤其是量身定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻。 本裝置已設(shè)計(jì)，特別是對(duì)作為一個(gè)負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的數(shù)字晶體管的替代低電壓​​應(yīng)用。 由于不需要偏置電阻，雙數(shù)字FET可以代替幾個(gè)不同的偏置電阻的數(shù)字晶體管。

特點(diǎn)

N - CH 25V，0.68，R DS（ON）= 0.45 W @ V GS = 4.5V
P - CH -25 V，-0.46，R DS（ON）= 1.1 W @ V GS = -4.5 V 。
非常低的水平柵極驅(qū)動(dòng)的要求，允許在3伏電路的直接操作。 VGS（TH）<1.0V。
門源齊納二極管的ESD堅(jiān)固性。 > 6kV的人體模型
更換多個(gè)雙NPN及PNP數(shù)字晶體管。

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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