概述
這些N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的平面條形DMOS技術(shù)。
這種先進(jìn)的技術(shù)已被特別定制,以最大限度地減少通態(tài)電阻,提供出色的開關(guān)性能,并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合低電壓應(yīng)用,如高效率開關(guān)直流/直流轉(zhuǎn)換器,直流電動機的控制。
特點
9.0A,200V,
的R DS(ON)= 0.28 W @ V GS = 10V
低柵極電荷(典型的16 NC)
低CRSS(典型值17 pF的)
快速開關(guān)
100%的雪崩測試
改進(jìn)的dv / dt能力
水平低的柵極驅(qū)動的要求,允許直接opration從邏輯驅(qū)動器
全新原裝進(jìn)口,現(xiàn) 貨庫存,歡迎來電詢價
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