概述

這些雙N＆P溝道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的，高細(xì)胞密度，DMOS技術(shù)。 這非常高的密度過(guò)程，旨在最大限度地減少通態(tài)電阻，提供堅(jiān)固耐用，性能可靠和快速開(kāi)關(guān)。 這些器件特別適合于低電壓，低電流，開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。

特點(diǎn)

Q1：0.51A，60V
的R DS（ON）= 2 W @ V GS = 10V
的R DS（ON）= 4 W @ V GS = 4.5V
問(wèn)題2：60V - 0.34A，
的R DS（ON）= 5個(gè)W，V GS = - 10V
的R DS（ON）= 7.5 W @ V GS = - 4.5V
高飽和電流
低R DS（ON），高密度的單元設(shè)計(jì)。
專有SuperSOT TM -6包裝設(shè)計(jì)，優(yōu)越的熱性能和電氣功能使用銅引線框

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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