概述

這些N溝道門檻低2.5V指定的MOSFET都采用了飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench過程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時保持出色的開關(guān)性能低柵極電荷。

特點

2.7一個，20訴R DS（ON）= 0.08 W @ V GS = 4.5V，電阻R DS（ON）= 0.12 W @ V GS = 2.5V
低柵極電荷（3.5nC的典型）。
開關(guān)速度快。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)。
SuperSOT™-6包：體積�。ū葮�(biāo)準(zhǔn)SO - 8小72％）;低調(diào)（1mm厚）。

應(yīng)用/框圖（S）

負(fù)荷開關(guān)
DC / DC轉(zhuǎn)換器
馬達驅(qū)動

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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