概述

這N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench過程中，已特別針對(duì)通態(tài)電阻的最小化，但保持出色的開關(guān)性能。

這些器件非常適用于低壓和電池供電應(yīng)用的低線的功率損耗和快速開關(guān)所需。

 
特點(diǎn)

6.3A，30V
R DS（ON）= 25 m寬的V GS = 10V
R DS（ON）= 33 m寬的V GS = 4.5V
快速開關(guān)
低柵極電荷
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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