概述

這個P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管是利用飛兆半導(dǎo)體專有的，高細(xì)胞密度，DMOS技術(shù)。 這非常高的密度過程是量身定制，以盡量減少通態(tài)電阻低門極驅(qū)動條件。 此設(shè)備是專為電池供電應(yīng)用，如筆記本電腦和手機(jī)的應(yīng)用。 該器件具有優(yōu)良的通態(tài)電阻柵極驅(qū)動電壓為2.5伏的低。

特點(diǎn)

-25 V，-0.46一個連續(xù)的，-1.5高峰。 的RDS（ON）= 1.1 W @ VGS = -4.5 V，RDS（ON）= 1.5瓦@ VGS = -2.7 V 。
非常低的水平柵極驅(qū)動的要求，允許直接操作在3V電路。 VGS（TH）<1.5V。
門源齊納二極管的ESD堅(jiān)固性。 > 6kV的人體模型。
緊湊型行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的SOT - 23表面貼裝封裝。

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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