概述

設計飛兆半導體先進的1.5V的PowerTrench工藝與藝術“低投球”的WLCSP封裝過程中的狀態(tài)，FDZ191P還最大限度地減少了 PCB 空間和R DS （ON）。 這種先進的WLCSP封裝的MOSFET，體現在包裝技術的突破，使該器件結合優(yōu)良的熱傳輸特性，超低調包裝，低柵極電荷和低R DS（ON ）。 。

特點

最大R DS（ON）=85mΩ，在V GS = 4.5V，I D = - 1A
最大R DS（ON）=123mΩ，在V GS = 2.5V，I D = - 1A
最大R DS（ON）=200MΩ，V GS = 1.5V，I D = - 1A
面積只有1.5平方毫米的電路板面積小于50％的面積為2 × 2的BGA
超薄封裝：小于0.65毫米的高度安裝到PCB上時，
符合RoHS標準

應用/框圖（S）

電池管理
負荷開關
電池保護

應用筆記

AN - 9045：WLCSP大會指南 （331 K）2011年8月05，

全新原裝進口，現 貨庫存，歡迎來電詢價
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨立供應 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經批準不得復制。