概述

該P(yáng)溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)。 電池電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 50MΩ@ V GS = 10 V，I D = - 4A
最大R DS（ON）= 75MΩ@ V GS = -4.5 V，I D = 3.4A
低柵極電荷
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

電池管理
負(fù)荷開(kāi)關(guān)
電池保護(hù)
直流/直流轉(zhuǎn)換

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢(xún)價(jià)
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