概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn)功率溝槽®過(guò)程中已特別定制，以盡量減少通態(tài)電阻和保持出色的開(kāi)關(guān)性能。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 34MΩ在V GS = 10V，I D = 6一個(gè)
最大R DS（ON）= 54MΩ在V GS = 6伏，I D = 4.5一個(gè)
低R DS（on）和高效率的先進(jìn)的封裝和硅結(jié)合
MSL1健壯的包裝設(shè)計(jì)
100％UIL的測(cè)試
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

一級(jí)的DC - DC
中學(xué)直流DC
負(fù)荷開(kāi)關(guān)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢(xún)價(jià)
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