概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn)功率溝槽®過程中已特別定制，以盡量減少通態(tài)電阻和保持出色的開關(guān)性能。

特點

最大R DS（ON）= 34MΩ在V GS = 10V，I D = 6一個
最大R DS（ON）= 54MΩ在V GS = 6伏，I D = 4.5一個
低R DS（on）和高效率的先進(jìn)的封裝和硅結(jié)合
MSL1健壯的包裝設(shè)計
100％UIL的測試
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

一級的DC - DC
中學(xué)直流DC

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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負(fù)荷開關(guān)