特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 13MΩ在V GS = 10V，I D = 11
最大RD S（上）= 20MΩ在V GS = 4.5 V時(shí)，I D = 9
薄型，在新封裝的MicroFET的2x2毫米 - 0.8毫米最大 -
無鹵素化合物和氧化銻
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

直流 - 直流降壓轉(zhuǎn)換器

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來電詢價(jià)
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤(rùn)百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨(dú)立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤(rùn)百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。