概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的功率溝槽®進(jìn)程，已優(yōu)化的R DS（ON）開(kāi)關(guān)性能和耐用性生產(chǎn)。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 236MΩ，在V GS = 10V，I D = 2一
最大R DS（ON）= 329MΩ，在V GS = 3.6 V，I D = 1.7
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
一種廣泛使用的表面貼裝封裝的高功率和電流處理能力
開(kāi)關(guān)速度快
100％UIL的測(cè)試
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

負(fù)荷開(kāi)關(guān)
主開(kāi)關(guān)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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