概述

P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn)功率溝槽®過(guò)程中，已特別針對(duì)減少通態(tài)電阻。 此設(shè)備是非常適合的電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用常見(jiàn)于筆記本電腦和便攜式電池包。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 20MΩ在V GS = 10 V，I D = -9.0一個(gè)
最大R DS（ON）= 37MΩ在V GS = -4.5 V，I D = -6.5一個(gè)
擴(kuò)展VGSS電池的應(yīng)用范圍（-25 V）
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
高功率和電流處理能力
HBM ESD保護(hù)水平> 7千伏典型（注4）
100％UIL的測(cè)試
終止是無(wú)鉛和符合RoHS

應(yīng)用/框圖（S）

在DC - DC降壓轉(zhuǎn)換器的高側(cè)
筆記本電池電源管理
在筆記本電腦的負(fù)荷開(kāi)關(guān)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢(xún)價(jià)
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