概述

這些N溝道增強型功率場效應晶體管都采用飛兆半導體專有的平面條形DMOS技術。

這種先進的技術已被特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合高效率開關模式電源供應器和有源功率因數(shù)校正。

特點

的R DS（ON）=1.05Ω（典型值）@ V GS = 10V，I D = 3.25A
低柵極電荷（典型值23nC）
低C RSS（典型值10pF的）
快速切換
100％的雪崩測試
改進的dv / dt能力
公共服務電子化“改進能力
符合RoHS標準

應用筆記

AN - 9725：健壯的身體，最后的功率MOSFET，諧振轉換器的UniFET™II二極管特性（850 K）8月05，2011

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