概述

這單個(gè)N -溝道MOSFET熱效率的MicroFET封裝已在負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用來(lái)執(zhí)行。 R DS（ON）和柵極電荷設(shè)備之間提供了一個(gè)最佳平衡，可有效地用作“偏高”控制swtich或“偏低”的同步整流。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 10.5MΩ在V GS = 10V，I D = 11.5一個(gè)
最大R DS（ON）= 15mΩat的V GS = 4.5V，I D = 10一個(gè)
低Qg的Qgd和高效的開(kāi)關(guān)性能RG
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

點(diǎn)負(fù)載轉(zhuǎn)換器
1 / 16磚同步整流

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢(xún)價(jià)
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