概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn)功率溝槽®過(guò)程中已特別定制，以盡量減少通態(tài)電阻和保持出色的開(kāi)關(guān)性能。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 134mΩat的V GS = 10V，I D = 2.8一個(gè)
最大R DS（ON）= 186mΩat的V GS = 3.6 V，I D = 2.4
薄型 - 1 mm最大功率33
100％UIL的測(cè)試
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

直流 - 直流轉(zhuǎn)換

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤(rùn)百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨(dú)立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤(rùn)百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。