概述

此N溝道MOSFET的生產(chǎn)采用飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn)功率溝槽® RDS（ON）優(yōu)化的進(jìn)程，已，開關(guān)性能和耐用性。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 9.8mΩat的V GS = 10V，I D = 11.2一
最大R DS（ON）= 16MΩ在V GS = 3.6 V，I D = 9
高性能非常低R DS（ON）的溝槽technologh
一種廣泛使用的表面貼裝封裝的高功率和電流移交的能力
100％UIL的測試
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

DC / DC轉(zhuǎn)換器和后備式UPS
分布式電源架構(gòu)和VRM
小學(xué)Swith為24 V和48 V系統(tǒng)
高電壓同步整流

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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