概述 


這些N溝道邏輯電平增強模式下的功率場效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的，高細胞密度，DMOS技術(shù)。 這非常高的密度過程，尤其是量身定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻。 這些器件特別適合筆記本電腦，手提電話，PCMCIA卡，和其它電池供電的電路，快速開關(guān)，線路功率損耗低需要在一個非常小的輪廓表面貼裝封裝的低電壓應(yīng)用。

特點

1.3一個，20五，R DS（ON）= 0.21 W @ V GS = 2.7V，R DS（ON）= 0.16 W @ V GS = 4.5 V 。
工業(yè)標準大綱的SOT - 23表面貼裝封裝使用poprietary SuperSOT™-3優(yōu)越的熱性能和電氣功能的設(shè)計。
非常低R DS（ON），高密度的單元設(shè)計。
電阻和最大直流電流能力的特殊。

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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