概述

P溝道MOSFET采用飛兆半導體的先進功率溝槽®過程中，已特別針對減少通態(tài)電阻。 這devie是非常適合的電源管理和負載開關應用常見于筆記本電腦和便攜式電池包。

特點 

最大R DS（ON）=20.0mΩ在V GS = 10V，I D = 8.5A
最大R DS（ON）=37.0mΩ在V GS = 4.5V，I D = 6.3A
擴展V GSS電池的應用范圍（- 25V）
高性能溝槽技術非常低R DS（ON）
高功率和電流處理能力
HBM ESD保護水平> 7kV典型（注4）
100％UIL的測試
終止是無鉛和符合RoHS

應用/框圖（S） 

高壓側直流 - 直流降壓轉換器
筆記本電池電源管理
在筆記本電腦的負荷開關

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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