概述

這N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是利用飛兆半導(dǎo)體專有的，高細(xì)胞密度，DMOS技術(shù)。 這非常高的密度過程是專為最大限度地減少通態(tài)電阻。 這些器件特別適合筆記本電腦，手提電話，PCMICA卡，和其它電池供電的電路，快速開關(guān)，線路功率損耗低需要在一個(gè)非常小的輪廓表面貼裝封裝的低電壓應(yīng)用。

特點(diǎn)

5 A，30 V的RDS（ON）= 0.035 W @ VGS = 10V，RDS（ON）= 0.055 W @ VGS = 4.5 V 。
專有SuperSOT TM -6包裝設(shè)計(jì)，使用銅引線框架優(yōu)越的熱性能和電氣功能。
極低的RDS（ON）的高密度的單元設(shè)計(jì)。
電阻和最大直流電流能力的特殊。

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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