概述

這些雙N和P溝道增強型功率MOSFET采用飛兆半導體先進的PowerTrench的過程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時保持出色的開關性能。

特點

問題1：N溝道
最大R DS（ON）=24mΩ，在V GS = 10V，I D = 9.0A
最大R DS（ON）=30mΩ時，在V GS = 4.5V，I D = 7.0A

問題2：P通道
最大R DS（ON）=54mΩatV GS = 10V，I D = 6.5A
最大R DS（ON）=70mΩatV GS = 4.5V，I D = 5.6A
開關速度快
符合RoHS標準

應用/框圖（S）

逆變器
H橋

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨立供應 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準不得復制。