概述

這些N溝道增強型功率場效應晶體管都采用飛兆半導體專有的，高細胞密度，DMOS技術(shù)。 這非常高的密度過程，尤其是量身定制，以盡量減少通態(tài)電阻，提供出色的開關(guān)性能。 這些產(chǎn)品非常適合低電壓，低電流的應用，如筆記本電腦電源管理，電池供電的電路，直流電動機的控制。

特點

5 30 V，R DS（ON）= 0.06 W @ V GS = 10V，R DS（ON）= 0.090 W @ V GS = 4.5 V 。
非常低R DS（ON），高密度的單元設計。
一種廣泛使用的表面貼裝封裝的高功率和電流處理能力。

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