概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的功率溝槽®進(jìn)程，已優(yōu)化的R DS（ON）開關(guān)性能和耐用性生產(chǎn)。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 24個(gè)月，在V GS = 10V，I D = 8一
最大R DS（ON）= 38 MO在V GS = 6伏，I D = 6一個(gè)
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
一種廣泛使用的表面貼裝封裝的高功率和電流處理能力
競(jìng)爭(zhēng)溝槽技術(shù)相比，非常低的Qg和Qgd
開關(guān)速度快
100％UIL的測(cè)試
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

直流 - 直流轉(zhuǎn)換

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來電詢價(jià)
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