概述
這些P溝道邏輯電平增強模式下的功率場效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的,高細胞密度,DMOS技術(shù)。 這非常高的密度過程,尤其是量身定制,以最大限度地減少通態(tài)電阻。 這些器件特別適合用于低電壓應(yīng)用,如筆記本電腦電源管理,便攜式電子產(chǎn)品,和其它電池供電的電路,快速高邊開關(guān),以及低線的功率損耗是在一個非常小的輪廓表面貼裝封裝所需的。
特點
一個-1,-20 V時,RDS(ON)= 0.41 W @ VGS = -2.7 V,RDS(ON)= 0.3 W @ VGS = -4.5 V 。
非常低的水平柵極驅(qū)動的要求,允許直接操作在3V電路。 VGS(TH)<1.0V。
專有的包裝設(shè)計,使用銅引線框架優(yōu)越的熱性能和電氣功能。
極低的RDS(ON)的高密度的單元設(shè)計。
電阻和最大直流電流能力的特殊。
緊湊型行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的SOT - 23表面貼裝封裝。
全新原裝進口,現(xiàn) 貨庫存,歡迎來電詢價
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