概述

SuperSOT™-3 N溝道邏輯電平增強型功率場效應晶體管都采用飛兆半導體專有的，高細胞密度，DMOS技術。 這非常高的密度過程，尤其是量身定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻。 這些器件特別適合筆記本電腦，手提電話，PCMCIA卡，和其它電池供電的電路，快速開關，線路功率損耗低需要在一個非常小的輪廓表面貼裝封裝的低電壓應用。

特點

2.2 A，30 V，R DS（ON）= 0.065 W @ V GS = 4.5 V，R DS（ON）= 0.082 W @ V GS = 2.5 V。
工業(yè)標準大綱的SOT - 23表面貼裝封裝采用專有SuperSOT™-3優(yōu)越的熱性能和電氣功能的設計。
非常低R DS（ON），高密度的單元設計。
電阻和最大直流電流能力的特殊。

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