概述

這P溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導體先進的功率溝槽的進程，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻和出色的開關性能保持低柵極電荷。

這些器件非常適用于低壓和電池供電應用的低線的功率損耗和快速開關所需。

特點

一個-2，-30 V
的R DS（ON）= 80 m寬的V GS = 10 V
的R DS（ON）= 125 m寬的V GS = -4.5 V
低柵極電荷（6.2nC的典型）
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術
業(yè)界標準的SOT - 23封裝的高功率版本。 相同的引腳的SOT - 23高出30％的功率處理能力。

全新原裝進口，現 貨庫存，歡迎來電詢價
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨立供應 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經批準不得復制。