概述

這P溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的功率溝槽的進(jìn)程，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻和出色的開關(guān)性能保持低柵極電荷。 這些器件非常適合于低電壓和電池供電應(yīng)用的低功率損耗是需要在一個(gè)非常小的輪廓表面貼裝封裝。

特點(diǎn)

- 1.3A，- 30V
R DS（ON）= 180 m寬的V GS = - 10V
- 1.1A，- 30V
R DS（ON）= 300 m寬的V GS = 4.5V
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)。
業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的SOT - 23封裝的高功率版本。 相同的引腳的SOT - 23高出30％的功率處理能力。

應(yīng)用/框圖（S）

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