概述

這60V P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體的高電壓的PowerTrench工藝。 它已被優(yōu)化電源管理應(yīng)用。

特點(diǎn)

-3甲-60訴R DS（ON）= 0.105 W @ V GS = -10 V，R DS（ON）= 0.135 W @ V GS = -4.5 V
開關(guān)速度快
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)。

應(yīng)用/框圖（S） 


DC - DC轉(zhuǎn)換器
負(fù)荷開關(guān)
電源管理

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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