概述

這P溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的功率溝槽的進(jìn)程，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻和低柵極電荷保持卓越的SW瘙癢性能。

這些器件非常適合于便攜式電子產(chǎn)品的應(yīng)用：負(fù)荷開(kāi)關(guān)和電源管理，電池充電電路，直流/直流轉(zhuǎn)換。

特點(diǎn)

-1.5 A，30 V
R DS（ON）= 125 m寬的V GS = 10V
R DS（ON）= 200 m寬的V GS = 4.5 V 。
低柵極電荷（NC典型）
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)。
業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的SOT - 23封裝的高功率版本。 相同的引腳的SOT - 23高出30％的功率處理能力。

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢(xún)價(jià)
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