概述

這些P溝道2.5V指定的MOSFET采用飛兆半導體先進的PowerTrench過程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時保持出色的開關性能低柵極電荷。
這些設備都被設計提供出色的功耗，在一個更​​大更昂貴的SO - 8和TSSOP - 8封裝是不切實際的應用程序非常小的足跡

特點

-1.9一個-20訴R DS（ON）= 0.170 W @ V GS = -4.5 V，R DS（ON）= 0.250 W @ V GS = -2.5 V
低柵極電荷（2.3nC的典​​型）。
開關速度快。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術。
SuperSOT™-6包：體積小（比標準SO - 8小72％）;低調（1mm厚）。

應用/框圖（S）

負荷開關
電池保護
電源管理

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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