概述

這些N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，已特別針對(duì)降低通態(tài)電阻，同時(shí)保持出色的開(kāi)關(guān)性能。

這些器件特別適合筆記本電腦，手提電話，PCMCIA卡，和其它電池供電的電路，快速開(kāi)關(guān)，線路功率損耗低需要在一個(gè)非常小的輪廓表面貼裝封裝的低電壓應(yīng)用。

特點(diǎn)

1.4A，30 V的
的RDS（ON）= 160 m寬@ VGS = 10V
的RDS（ON）= 250 m寬@ VGS = 4.5V
超低柵極電荷
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)大綱的SOT - 23表面貼裝封裝使用專有SuperSOT TM -3設(shè)計(jì)優(yōu)越的熱性能和電氣功能
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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