概述

使用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench過程中，已特別針對減少通態(tài)電阻producted的P溝道MOSFET。

此設(shè)備是非常適合的電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用常見于筆記本電腦和便攜式電池包。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）=13mΩ，在V GS = 10V，I D = - 11A
最大R DS（ON）=21.8mΩ在V GS = 4.5V，I D = - 9A
擴(kuò)展的V GS電池的應(yīng)用范圍（- 25V）
HBM ESD保護(hù)水平5.4千伏（典型值）（注3）
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
高功率和電流移交能力
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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