概述

此20V N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體的高電壓的PowerTrench工藝。 它已被優(yōu)化電源管理應(yīng)用。

特點(diǎn)

20 V，2 A
R DS（ON）= 70 m寬的V GS = 4.5V
R DS（ON）= 80 m寬的V GS = 2.5V
R DS（ON）= 120 m寬的V GS = 1.8V
低柵極電荷
開(kāi)關(guān)速度快
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）

應(yīng)用/框圖（S）

負(fù)荷開(kāi)關(guān)
電池保護(hù)
電源管理

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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