概述

這個P -通道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的低電壓的PowerTrench ®過程。 電池電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）=95mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 2.6A
最大R DS（ON）=115mΩ，在V GS = 2.5V，I D = 2.2A
最大R DS（ON）=160mΩ，在V GS = 1.8V，I D = 1.9A
最大R DS（ON）=330mΩatV GS = 1.5V，I D = 1.0A
非常低的水平柵極驅(qū)動的要求，允許操作在1.5V電路
非常小的封裝外形采用SC70 - 6
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

電池管理
負(fù)荷開關(guān)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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