概述

這種P溝道2.5V指定的MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench進程，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻和出色的開關(guān)性能保持低柵極電荷。

這些器件非常適合于便攜式電子產(chǎn)品的應(yīng)用：負荷開關(guān)和電源管理，電池充電電路和DC / DC轉(zhuǎn)換。

特點

-1.3一個，-20 V。
R DS（ON）= 0.20 W @ V GS = -4.5 V
R DS（ON）= 0.27 W @ V GS = -2.5 V
低柵極電荷（典型值3.6 NC）。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)。
SuperSOT™-3提供低RDS（ON）和高出30％的功率處理能力比SOT23封裝在相同的空間

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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