概述

這種P溝道1.8V指定的MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的低電壓的PowerTrench過程。 電池電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

特點

-0.7一個，-12 V
R DS（ON）= 270 m寬的V GS = -4.5 V
R DS（ON）= 360 m寬的V GS = -2.5 V
R DS（ON）= 650 m寬的V GS = -1.8 V
低柵極電荷
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)
緊湊型的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)采用SC70 - 6表面貼裝封裝

應(yīng)用/框圖（S）

電池管理
負(fù)荷開關(guān)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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