概述

這種P溝道1.8V指定的MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體的低電壓的PowerTrench工藝。 電池電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

特點(diǎn)

-5.5一個(gè)，-20 V。
的R DS（ON）= 33 m寬的V GS = 4.5V
的R DS（ON）= 43 m寬的V GS = 2.5V
的R DS（ON）= 60 m寬的V GS = 1.8V
開(kāi)關(guān)速度快。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)。

應(yīng)用/框圖（S）

電池管理
負(fù)荷開(kāi)關(guān)
電池保護(hù)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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